[KR] IGZO 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터(Preparateion Method for IGZO TFTs and IGZO TFTs thereby)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2018-0106066 / 2018-09-05
- 등록번호/일자 - / 0000-00-00
발명자
김현석 , 양대규 , 김형도
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 IGZO 박막의 성막 후 고온의 열처리 공정을 거치지 않고도 박막 트랜지스터의 성능을 향상시킬 수 있는 IGZO 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 IGZO 박막을 포함하는 채널층; 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층;을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 상기 IGZO 박막을 성막한 후 마이크로파로 처리하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 상기 방법에 의해 제조된 IGZO 박막 트랜지스터에 관한 것이다.