[KR] 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법(Direct Synthesis of Ag Nanowires on Graphene Layer)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2017-0044768 / 2017-04-06
- 등록번호/일자 10-1905801 / 2018-10-01
발명자
김의태 , 충트란남 , 김동옥
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 그래핀 층 상에 선택적으로 은 나노선을 직접 성장시킬 수 있어 그래핀-은 나노선 하이브리드 패턴의 형성에 적용할 수 있는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 그래핀 층을 형성하는 단계; (B) 그래핀 층이 형성된 기판을 은 나노입자의 전구체 용액에 침지하는 단계; 및 (C) 상기 은 나노입자의 전구체 용액에 구연산염을 가하여 환원시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 상에 은 나노선의 직접 성장 방법에 관한 것이다.