[KR] 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 단결정 실리콘 태양전지의 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법(Fabrication method of aluminum oxide flim having controlled negative fixed charge density for passivation of single C-Si solar cell)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2013-0044457 / 2013-04-22
- 등록번호/일자 10-1318241 / 2013-10-08
발명자
정광석 , 이희덕 , 이가원
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법에 있어서, 실리콘 기판에 패시베이션 공정으로 산화알루미늄 박막을 형성하는 단계 및 상기 산화알루미늄 박막 사이의 중간층으로서 산화아연 박막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 산화아연 박막의 두께를 조절함으로써 상기 산화알루미늄 박막안의 음의 고정전하 밀도를 제어하는 것을 특징으로 하는 음의 고정전하 밀도 제어가 가능한 패시베이션용 산화알루미늄 박막 제조 방법에 관한 발명으로서, 산화알루미늄 박막에 음의 고정전하를 제어함으로써 태양전지의 변환 효율을 향상시킨 발명이다.