[KR] 정합 특성이 개선된 쌍극성 접합 트랜지스터(bipolar junction transistor for high matching characteristics)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2011-0052341 / 2011-05-31
- 등록번호/일자 10-1300214 / 2013-08-20
발명자
이희덕 , 정의정
출원인
충남대학교산학협력단
초록
두 개의 트랜지스터를 포함하는 형태의 쌍극성 접합 트랜지스터에서, 두 트랜지스터가 각각 서로 다른 에미터를 포함하는 형태로 이루어지며, 서로 동일한 베이스와 콜렉터를 포함한다. 두 개의 트랜지스터가 공통된 베이스와 콜렉터를 사용하며, 베이스는 각 에미터를 각각 둘러싸는 형태로 이루어지며, 콜렉터는 베이스를 둘러싸는 형태는 형태로 이루어진다.