[KR] 그라핀-산화물반도체 이종접합 소자 및 그의 제조방법(The graphene - oxide semiconductor hethrojunction device and a method of manufacture thereof)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허 미국
- 출원번호/일자 10-2011-0008705 / 2011-01-28
- 등록번호/일자 10-1284059 / 2013-07-03
발명자
김의태
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 기판상에 화학기상증착법을 사용하여 그라핀을 직접 성장시켜 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자 및 그라핀 개질(도핑)에 의한 그라핀(p-type)/산화물반도체(n-type) 또는 그라핀(n-type)/산화물반도체(n-type) 이종 p-n 접합을 형성하는 반도체 소자 및 그 제조법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 다양한 산화물 또는 반도체 위에서 직접 그라핀을 성장시킬 수 있으므로 기계적 박리공정 또는 Cu 같은 금속기판 위에 성장 후 그라핀을 transferring 하는 복잡한 공정을 생략할 수 있어, 다양한 산화물 및 반도체와 그라핀(전도체)/산화물반도체의 Schottky 접합 소자나 그라핀(반도체)/산화물반도체의 이종접합 p-n 반도체소자를 간편하고 경제적으로 제작할 수 있게 된다.