[KR] 정합 특성이 개선된 쌍극성 접합 트랜지스터(bipolar junction transistor for high matching characteristics)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2012-0031927 / 2012-03-28
- 등록번호/일자 10-1277776 / 2013-06-17
발명자
이희덕 , 정의정
출원인
충남대학교산학협력단
초록
두 개의 트랜지스터를 포함하는 형태의 쌍극성 접합 트랜지스터에서, 두 트랜지스터가 각각 독립적인 구조로 이루어지며, 각각의 베이스가 에미터를 둘러싸면서 에미터의 소정 방향은 개방시키는 형태로 이루어진다.