[KR] ＩｎＳｂＴｅ 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리 소자(Method for Forming ＩｎＳｂＴｅ Nanowires and Phase-Change Memory Device Using the Same)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허 미국
- 출원번호/일자 10-2010-0007311 / 2010-01-27
- 등록번호/일자 10-1079784 / 2011-10-28
발명자
윤순길 , 안준구
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 300℃ 이하의 저온에서 상변화 메모리 재료인 In-Sb-Te의 나노와이어를 제조할 수 있는 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리에 관한 것으로, 보다 구체적으로 In, Sb 및 Te 전구체의 증기를 진공 챔버 내의 기판 상에서 반응시키는 유기금속 화학증착법에 의하며, 상기 반응 시의 챔버 내의 압력이 7~15 Torr인 것을 특징으로 하는 유기금속 화학증착법에 의한 In-Sb-Te 나노와이어의 제조방법 및 이를 이용한 상변화 메모리에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 종래 기술에 의한 상변화 소재인 GST의 대체물질인 IST 나노와이어를 300℃ 이하의 저온에서 대량으로 용이하게 제조할 수 있으므로 상변화 메모리 소자에 효율적으로 활용할 수 있다.