[KR] 나노결정이 산화막에 임베딩된 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법(LED in which the nano-crystalline is embedded in the oxide film and a method of manufacture thereof)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2008-0135430 / 2008-12-29
- 등록번호/일자 10-1043247 / 2011-06-15
발명자
김의태
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 반도체 나노결정을 산화물에 임베딩시킨 구조의 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로 더욱 상세하게는 p-형 Si 기판상에 형성된 n-형 TiO2 박막 내에 나노결정이 임베딩된 구조이며, 가시광선 발광다이오드 소자 및 그의 제조방법에 관한 것이다.또한 본 발명에 의하면, 대면적의 Si 웨이퍼 위에서 저비용으로 우수한 광발광 특성을 가진 포토닉스 소자 및 전자소자와 포토닉스 소자가 집적된 소자를 생산할 수 있게 된다.