[KR] 아연환원제를 이용한 저온에서의 텅스텐 나노분말의제조방법(Low Temperature Fabrication Method of Nano-size Tungsten Powders by Zinc Reduction)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2008-0060676 / 2008-06-26
- 등록번호/일자 10-1019503 / 2011-02-25
발명자
원창환 , 원형일
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명에 따른 나노 텅스텐(W) 분말의 제조방법은 저온 열처리에 의해 초미립 나노 텅스텐 분말을 제조하는 특징이 있으며, 상세하게는 텅스텐화합물; 아연; 및 입자성장억제제인 알칼리염;을 함유하는 원료를 진공 또는 불활성 기체 분위기에서 저온 열처리하여 나노 텅스텐(W) 분말을 제조하는 특징이 있다. 본 발명에 따른 제조방법은 평균 입도가 수 나노미터 내지 수십 나노미터의 크기를 갖는 균일한 크기의 나노 텅스텐 분말을 제조할 수 있으며, 아연 환원제 및 입자성장억제제를 이용하여 매우 낮은 온도의 열처리로 나노 크기의 텅스텐 분말을 제조할 수 있으며, 제조된 텅스텐 분말이 다른 상(phase)을 함유하지 않고, 고 결정성을 가지며, 텅스텐 분말의 입자크기를 수십 나노미터 단위로 제어할 수 있는 장점이 있다.