[KR] ＬＤＭＯＳ ＦＥＴ를 이용한 Ｌ-대역 고속 펄스 고전력증폭기(The L-band high speed pulse high power amplifier using the LDMOS FET)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2008-0069805 / 2008-07-18
- 등록번호/일자 10-1001282 / 2010-12-08
발명자
홍성용 , 이희민 , 신영섭 , 이형구
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 LDMOS FET를 이용한 L-대역 고속 펄스 고전력 증폭기에 관한 것으로서, 입력펄스를 상기 스위치의 ON/OFF에 따라 스위칭하는 제 1 스위칭부 및 제 2 스위칭부와, 제 1 스위칭부로부터 인가받은 입력펄스를 소정의 임계전압으로 유지시키는 BJT부, 및 내부에 충전된 전압을 방전함과 아울러 제 2 스위칭부 및 BJT부로부터 인가받은 낮은 임계전압의 입력펄스에 따라 fall 시간을 단축시키는 커패시터부를 포함한다. 본 발명에 따르면, FET 소자를 BJT 소자로 대체함으로써, 입력된 펄스의 rise 시간 대비 fall 시간을 단축시켜 펄스폭이 좁은 신호를 효율적으로 생성하도록 하며, 스위칭부와 커패시터부 사이에 접속된 제너다이오드를 통해 커패시터부의 임계전압을 일정하게 유지하도록 함으로써, Vcc가 높더라도 커패시터부의 전압이 최대 허용전압을 초과하지 않도록 하는 효과가 있다.