특허

본 발명에 따른 자가형성(self-assembled) ZnO가 구비된 발광다이오드는 반도체 또는 부도체 단결정 기판 상부에 Zn 박막을 형성시킨 후, 상기 Zn 박막과 산소를 반응시키고 기판의 온도를 조절하여 Zn 박막의 응력(stress)을 제어하여 상기 기판상 ZnO 양자점(Quantum dot)을 자가형성(self-assembled) 시킴과 동시에 상기 기판의 표면 요철(surface roughness)을 형성시키는 단계를 포함하여 제조된 자가형성 ZnO 양자점 기판; 상기 자가형성 ZnO 양자점 기판 상부로 적층되며, 외부 전압 또는 전류가 인가되는 금속 패드가 형성된 n형 반도체층; 외부 전압 또는 전류가 인가되는 금속 패드가 형성된 p형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 구비되어 상기 n형 반도체층으로부터 제공되는 전자와 상기 p형 반도체층으로부터 제공되는 정공이 결합하여 빛을 생성하는 활성층;을 포함하여 구성되며, 상기 자가형성 ZnO 양자점 기판의 상기 ZnO 양자점이 상기 활성층에서 생성된 빛의 반사경(reflector)으로 작용하며, 상기 자가형성된 ZnO 양자점 기판의 표면 요철이 반사층으로 작용하여 증대된 외부추출효율을 갖는 자가형성 ZnO가 구비된 발광다이오드인 특징이 있다.