[KR] PZT박막의 강유전 특성이 향상된 반도체 소자와 그 제조방법(PRO conductive interfacial layer for improvement of ferroelectric properties of PZT thin films for use memory capacity and preparing method thereof)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2003-0036639 / 2003-06-07
- 등록번호/일자 10-0490174 / 2005-05-10
발명자
윤순길 , 류성남
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 백금층이 형성된 실리콘 계열의 기재 표면에 레드루테늄옥사이드를 형성함으로써, 높은 잔류분극 값과 낮은 항전계 값을 갖는 강유전체 PZT 박막을 얻을 수 있고 백금(Pt)과 PZT의 상호반응을 억제함으로써 PZT의 화학양론을 유지할 수 있으며 온도변화에도 안정된 계면상태를 유지할 수 있는 반도체 소자와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체 소자는, 표면에 백금층이 형성된 기재(substrate)와; 백금층 위에 형성된 PRO층과; PRO층 위에 형성된 PZT 박막을 포함하며, 필요에 따라, PZT 박막 위에 PRO층 및 또는 백금층이 추가로 형성될 수도 있다.