[KR] 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자의 제조방법(METHOD OF MANUFACTURING FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE USING CARBON NANOTUBES)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2002-0031445 / 2002-06-04
- 등록번호/일자 10-0490480 / 2005-05-11
발명자
김도진 , 최규석 , 조유석
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명에서는 탄소 나노튜브를 이용한 3극관 구조의 전계 방출 소자의 제작에 있어서, 반도체 공정을 이용해 기판에서 탄소 나노튜브를 성장키고, 탄소 나노튜브가 성장된 기판에 절연물질 특히 SOG(Spin on glass)를 도포하여 건조시키며,절연물질이 도포된 탄소 나노튜브를 연마기로 균일한 높이를 갖도록 절단하여 탄소 나노튜브의 높이를 제어하는 방법에 의한 탄소 나노튜브를 이용한 전계 방출 소자 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의해 탄소 나노튜브와 기판과의 절연을 가능하게 함으로써 누설전류를 방지하며, 연마공정시 탄소 나노튜브의 손상을 막고, 탄소 나노튜브와 기판과의 밀착성을 유지하고, 전계 방출 측정시 안정성을 향상시킨다. 또한 탄소 나노튜브의 성장시 길이의 제어를 용이하게 하여 균일한 전계 방출 특성을 구현하고 공정의 편의성을 달성한다.