[KR] 반도체 양자점 집적광소자(Integrated Quantum Dot Optical Device)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2007-0131158 / 2007-12-14
- 등록번호/일자 10-0931824 / 2009-12-07
발명자
이동한 , 김남제
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 반도체 집적광소자에 대한 것으로, 상세하게는 양자점이 형성된 에피텍샬 웨이퍼 상에 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드와 양자점 반도체 광증폭기가 집적 결합되고, 활성층인 양자점군의 가우시안 상태밀도를 이용하여 상기 라만증폭용 양자점 레이저 다이오드의 동작파장 및 상기 양자점 반도체 광증폭기의 동작파장이 각각 독립적으로 조절되는 특징을 갖는다. 본 발명의 양자점 집적광소자는 양자점이 형성된 에피웨이퍼의 양자점 성장조건에 민감하지 않고, 재현성이 좋으며, 에피웨이퍼의 이용 효율이 높은 장점을 가지며, 단일한 에피웨이퍼의 한 평면상에 반도체 광증폭기(SOA)와 라만증폭용 반도체 레이저 다이오드(LD)가 집적되어 크기가 작고 경제적이며 안정적인 광소자 칩을 얻을 수 있으며, 집적된 광소자 칩과 광섬유와의 결합점이 대폭 줄어들어 실장이 용이하고, 광의 손실이 적은 장점이 있다.