[KR] 나노 임프린트 리소그래피용 고내구성 실리카 하드나노몰드및 그 제작 방법(Highly durable silca hard nano mold for nano imprint lithography and its manufacturing method)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2008-0098952 / 2008-10-09
- 등록번호/일자 10-0900496 / 2009-05-26
발명자
김동표 , 홍난영 , 박성준
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 a) 폴리비닐실라잔을 웨이퍼위에 코팅하여 박막을 형성하는 단계; b) 상기 폴리비닐실라잔 박막에 자외선을 10 ~25분간 조사한 후, 열경화하는 단계; 및 c)상기 열경화된 폴리비닐실라잔 박막에 암모니아수증기로 수화시켜 실리카 박막을 제조하는 단계를 포함하는 실리카 박막제조방법에 관한 것이다. 그리고 본 발명은 10nm ~ 1cm의 패턴이 형성되고, 암모니아수증기에 의하여 실리카로 수화된 폴리비닐실라잔 경화막을 갖는 실리카 박막에 관한 것이다. 상기 발명은 화학적, 열적, 기계적인 스트레스에 높은 내구성을 가지며, 열 나노임프린트 리소그래피 및 광 나노임프린트리소그래피를 포함하는 각종 나노 리소그래피 기술에 매우 적합하게 이용할 수 있는 실리카 하드나노몰드로 사용할 수 있다. 또한 높은 릴리스(release)성질을 가지고 있으며, 간편하고 저가로 제조할 수 있는 장점이 있다.