[KR] 아연주석질소 단결정박막의 제조방법(Preparation Method for Zinc Tin Nitrogen Single Crystal Thin Film)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2017-0125325 / 2017-09-27
- 등록번호/일자 10-1965368 / 2019-03-28
발명자
홍순구 , 르뒤덕
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 다양한 종류의 기판에 규칙적인 결정격자 구조를 갖는 단결정 박막을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 간단한 조건의 조절만으로 밴드갭을 용이하게 조절할 수 있는 아연주석질소 단결정박막의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 기판 상에 우르츠광 구조의 ZnO 단결정 박막 버퍼층을 형성하는 단계; 및 (B) ZnO 버퍼층 상에 ZnSnN2 단결정 박막을 에피 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnSnN2 단결정 박막의 제조방법에 관한 것이다.