[KR] 모스펫 제조 방법(METHOD FOR FABRICATING MOSFET)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2017-0126080 / 2017-09-28
- 등록번호/일자 10-1967064 / 2019-04-02
발명자
이희덕 , 이맹 , 이정찬
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명의 실시예가 해결하려는 과제는, 콘택의 접촉저항을 감소시키는 모스펫 제조 방법을 제공하는 것이다. 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 모스펫 제조 방법은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극의 양측 기판에 소스/드레인 영역을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인 영역 상에 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 차례로 적층하는 단계; 열처리 공정을 진행하여 상기 소스/드레인 영역에 합금을 형성하고 동시에 상기 소스/드레인 영역 내의 산소를 게더링층과 결합시키는 단계; 및 합금이 형성된 상기 소스/드레인 영역 상에 잔류하는 상기 게더링층, 합금용 희생층 및 보호층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 상술한 본 발명의 실시예들에 의한 모스펫 제조 방법은 막 내의 산소의 함유량을 감소시키고 결과적으로, 막 내 합금의 함유량을 증가시켜 콘택의 접촉저항이 감소되는 효과가 있다.