[KR] 금속 산화물 나노로드 구조를 포함하는 반도체 센서 및 이의 제조방법(SEMICONDUCTOR SENSOR WITH METAL OXIDE NANOROD STRUCTURE AND MENUFACTURING METHOD TEHEROF)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2017-0044257 / 2017-04-05
- 등록번호/일자 10-1924541 / 2018-11-27
발명자
이가원 , 정준교
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 금속 산화물 나노로드 구조를 포함하는 반도체 센서 및 이의 제조 방법에 관한 것이며, 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 센서는 기판, 기판 아래에 형성되어 있는 제1 전극, 기판 위에 형성되어 있는 절연층, 절연층 위에 형성되어 있는 금속 산화물층, 금속 산화물층 위의 제1 영역에 접촉되도록 형성되어 있는 제2 전극, 금속 산화물층 위의 제2 영역에 접촉되도록 형성되어 있는 제3 전극, 그리고 금속 산화물층 위의 제1 영역과 제2 영역 사이에 위치하는 제3 영역에 접촉되도록 형성되어 있으며, 복수개의 금속 산화물 나노로드를 포함하는 나노로드층을 포함한다.