[KR] 무전사식 그래핀층의 형성 방법(The formation method of the radiotelegraphy food privately offered to a prisoner graphene layer)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허 미국
- 출원번호/일자 10-2016-0105001 / 2016-08-18
- 등록번호/일자 10-1886659 / 2018-08-02
발명자
윤순길 , 박병주
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 별도의 전사과정이 없이도 투명전극이나 반도체 소자 등에 사용되는 베이스 기판에 직접 적용할 수 있도록 결정성이 우수한 고품질의 그래핀층을 무전사 방식으로 저온에서 대면적으로 용이하게 형성할 수 있는 그래핀층의 형성 방법 및 상기 방법에 의해 형성된 그래핀층을 포함하는 전기 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 베이스 기판 상에 스퍼터링에 의해 3~20nm 두께의 Ti층을 증착하는 단계;와 상기 증착된 Ti층 상에 화학기상증착법에 의해 그래핀을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 무전사식 그래핀층의 형성 방법에 관한 것이다.