[KR] ECR-PEALD법에 의한 반도체 소자의 절연막 제조방법(Fabrication Method for Insulation Layer of Semiconductor Device by ECR-ALD)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2016-0175851 / 2016-12-21
- 등록번호/일자 - / 0000-00-00
발명자
김현석 , 김양수 , 양대규 , 한석길 , 김형도
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 저온 또는 상온에서도 우수한 반도체 특성의 알루미늄 산화막을 형성할 수 있어서 유연성 기판의 반도체 소자에 적용할 수 있는 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 (A) 알루미늄의 소스 가스 분위기에서 알루미늄 소스를 기판 표면에 흡착시키는 단계; (B) 불활성 가스로 기판에 흡착되지 않은 상기 알루미늄의 소스 가스를 제거하는 단계; (C) 상기 알루미늄의 소스 가스가 흡착된 기판에 산소의 소스 가스와 ECR(electron cyclotron resonance) 플라즈마를 가하여 기판 상에 알루미늄 산화막을 형성하는 단계; (D) 불활성 가스로 반응 후 잔류하는 과량의 가스를 제거하는 단계;로 구성된 사이클을 반복하여 기판 상에 알루미늄 산화막으로 이루어진 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 절연막 제조방법에 관한 것이다.