[KR] 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터 제조 방법(THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2016-0060942 / 2016-05-18
- 등록번호/일자 10-1816877 / 2018-01-03
발명자
이가원 , 윤호진
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 박막 트랜지스터는 채널 층, 채널 층 상의 소스 전극 및 드레인 전극 및 채널 층과 절연된 게이트 전극을 포함하고, 채널 층은 두께에 따라 상이한 결정 특성을 가지며, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 아래 부분이 나머지 부분보다 더 두껍게 형성될 수 있다.