[KR] 저마나이드 형성 방법 및 그 저마나이드를 포함하는 반도체 소자(METHOD OF FORMING GERMANIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE GERMANIDE)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2015-0056635 / 2015-04-22
- 등록번호/일자 10-1771173 / 2017-08-18
발명자
이희덕 , 김제영 , 이맹
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 접촉저항을 낮출 수 있는 저마나이드 형성 방법 및 저마나이드를 포함하는 반도체 소자에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시 예에 따른 저마나이드 형성 방법은 게르마늄(Ge) 기판 상에 안티모니 층을 증착하는 단계; 상기 안티모니 층 상에 금속 층을 증착하는 단계; 및 상기 금속 층이 증착된 기판을 열처리하는 단계;를 포함할 수 있다.