[KR] 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법(Thin film transistor and method of manufacturing thereof)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2016-0181984 / 2016-12-29
- 등록번호/일자 - / 0000-00-00
발명자
김현석 , 김양수 , 김종헌
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 높은 이동도 및 신뢰성과 함께 우수한 박막 트랜지스터 특성을 나타내는 박막 트랜지스터와 그 제조방법 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 물질로 형성된 채널층; 상기 채널층 상에 서로 마주보며 위치하는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 채널층에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 채널층 사이에 개재된 게이트 절연층;을 포함하는 박막 트랜지스터에 있어서, 상기 채널층은 암모니아를 포함한 플라즈마로 처리된 금속 질산화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터와 그 제조방법 및 상기 박막 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관한 것이다.