[KR] 갈륨 이온이 도핑된 금속 산화물 입자 및 이의 연속 제조 방법(Gallium ion doped metal-oxide and method for continuous synthesis the same)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2016-0049417 / 2016-04-22
- 등록번호/일자 10-1740420 / 2017-05-22
발명자
강용 , 이찬기 , 강경민 , 임대호 , 유동준 , 전종설 , 양시우 , 윤창혁
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명의 제조 방법으로 제조된 갈륨 이온 도핑된 금속 산화물 입자는 반응 과정에서 미세기포에 의해 전기화학적 특성, 광학적 특성 및 표면학적 특성이 현저히 향상되는 효과가 있다. 또한 본 발명의 제조 방법은 상기 효과와 함께 상기 입자를 연속적인 공정으로 제조할 수 있음에 따라, 생산 규모를 현저히 증대시킬 수 있어 높은 생산효율 및 공정효율을 가지는 장점이 있다.