[KR] 콘택 형성 방법(METHOD OF FORMING A CONTACT)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2016-0044787 / 2016-04-12
- 등록번호/일자 10-1726995 / 2017-04-10
발명자
이희덕 , 이맹 , 김제영
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 반도체 소자 콘택 형성 방법에 관한 것이다. 그 방법은 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판에 소오스 전극, 드레인 전극 및 게이트전극을 형성하는 단계; 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상에 팔라듐층을 적층시키는 단계; 상기 팔라듐층 상에 니켈층을 적층시키는 단계; 상기 팔라듐층 및 니켈층이 적층된 인듐갈륨아세나이드(InGaAs) 기판을 열처리하는 단계, 및 상기 열처리를 통해 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 각각 니켈-팔라듐-인듐갈륨아세나이드 합금 콘택을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 콘택을 니켈-팔라듐-인듐갈륨아세나이드 합금으로 하는 것에 의해 콘택의 열한정성을 향상시킬 수 있다.