[KR] 음의 고정 산화막 전하 밀도 제어를 위한 다층 산화막 및 그 제조 방법 그리고 이를 이용한 반도체 소자 및 그 제조 방법(Multi-Oxide layer for controlling negatively fixed oxide charge density, method for forming the the multi-oxide layer and a semiconductor device using the multi-oxide layer and method for forming thereof)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2014-0023252 / 2014-02-27
- 등록번호/일자 10-1525419 / 2015-05-28
발명자
이희덕 , 이호령 , 정광석 , 오성근 , 이맹
출원인
충남대학교산학협력단
초록
음의 고정 산화막 전하 밀도 제어를 위한 다층 산화막이 제공된다. 다층 산화막은 제1 알루미늄 산화막 및 제2 알루미늄 산화막 그리고 이들 사이에 삽입된 실리콘 산화막을 포함한다.