[KR] 정합 특성 향상을 위한 쌍극성 접합 트랜지스터(BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR FOR IMPROVING MATCHING CHARACTERISTICS)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2014-0010042 / 2014-01-28
- 등록번호/일자 10-1519548 / 2015-05-06
발명자
이희덕 , 성승용 , 오선호 , 송형섭
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 정합 특성 향상을 위한 쌍극성 접합 트랜지스터에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 쌍극성 접합 트랜지스터는, 기판 상에 형성되는 이미터 영역; 상기 기판 상에서 상기 이미터 영역으로부터 이격되어 형성되는 베이스 영역; 및 상기 기판 상에서 상기 이미터 영역 및 상기 베이스 영역으로부터 이격되어 형성되는 컬렉터 영역;을 포함할 수 있다.