[KR] 박막 트랜지스터의 제조방법(Fabrication method of thin film transistors)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2013-0021646 / 2013-02-28
- 등록번호/일자 10-1426646 / 2014-07-29
발명자
이가원 , 이상율 , 정광석 , 김유미 , 남동현
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 자기정렬 채널 형성방법, 동일 평면 게이트 형성기술, 바디 금속접촉 형성기술 및 반도체/금속 접합을 제어하는 중간층 형성기술을 이용한 박박 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.