[KR] 모스펫의 접촉저항 감소 방법(METHOD OF RECUDING CONTACT RESISTANCE OF MOS-FET)
- 국가/구분 KR/특허
- 해외특허
- 출원번호/일자 10-2015-0110063 / 2015-08-04
- 등록번호/일자 10-1749599 / 2017-06-15
발명자
이희덕 , 이맹 , 김제영
출원인
충남대학교산학협력단
초록
본 발명은 모스펫의 콘택이 텔루륨-니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로 형성되어 접촉저항을 감소시키는 기술에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본발명의 콘택은 인듐갈륨아세아니드가 적층된 기판의 소오스 및 드레인 영역에 텔루륨층과 니켈층을 적층하고 열처리하여 얻어진다. 본 발명의 실시 예에 따른 콘택의 접촉저항은 니켈-인듀인듐갈륨아세나이드로 형성된 콘택에 비해 현저하게 낮다.